Výrobca Číslo produktu:
NTTFS4H07NTWG
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NTTFS4H07NTWG-DG
Popis:
MOSFET N-CH 25V 18.5A/66A 8WDFN
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 18.5A (Ta), 66A (Tc) 2.64W (Ta), 33.8W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Inventár:
12839871
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NTTFS4H07NTWG Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
25 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
18.5A (Ta), 66A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
12.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
771 pF @ 12 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.64W (Ta), 33.8W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-WDFN (3.3x3.3)
Balenie / puzdro
8-PowerWDFN
Základné číslo produktu
NTTFS4
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
ONSONSNTTFS4H07NTWG
2156-NTTFS4H07NTWG-OS
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDMS8670AS
MOSFET N-CH 30V 23A/42A 8PQFN
FQPF5N80
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220F
NTD4906N-1G
MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK
