Výrobca Číslo produktu:
NVATS4A101PZT4G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NVATS4A101PZT4G-DG
Popis:
MOSFET P-CHANNEL 30V 27A ATPAK
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 27A (Ta) 36W (Tc) Surface Mount ATPAK
Inventár:
12857230
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NVATS4A101PZT4G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
27A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
30mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.6V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
18.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
875 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
36W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
ATPAK
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
NVATS4
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NTMFS4935NCT3G
MOSFET N-CH 30V 13A/93A 5DFN
NTD3055L104-1G
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
NTD20N06-1G
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK