Výrobca Číslo produktu:
NVBG025N065SC1
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NVBG025N065SC1-DG
Popis:
SIC MOS D2PAK-7L 650V
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 106A (Tc) 395W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventár:
13002457
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NVBG025N065SC1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
106A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
15V, 18V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
28.5mOhm @ 45A, 18V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.3V @ 15.5mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
164 nC @ 18 V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3480 pF @ 325 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
395W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
D2PAK-7
Balenie / puzdro
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Základné číslo produktu
NVBG025
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Iné mená
488-NVBG025N065SC1DKR
488-NVBG025N065SC1TR
488-NVBG025N065SC1CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
G700P06J
P-60V,-23A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH-
IMYH200R024M1HXKSA1
SIC DISCRETE
SIHG150N60E-GE3
E SERIES POWER MOSFET TO-247AC,
