Výrobca Číslo produktu:
NVJD4401NT1G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NVJD4401NT1G-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 630mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Inventár:
50299 Ks Nové Originálne Na Sklade
12858177
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NVJD4401NT1G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
630mA
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
375mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
3nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
46pF @ 20V
Výkon - Max
270mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balík zariadení dodávateľa
SC-88/SC70-6/SOT-363
Základné číslo produktu
NVJD4401
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
NVJD4401NT1GOSDKR
NVJD4401NT1GOSTR
NVJD4401NT1G-DG
NVJD4401NT1GOSCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NTMD6601NR2G
MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
UPA1952TE-T1-A
MOSFET 2P-CH 20V 2A SC95
NVMFD5C446NWFT1G
MOSFET 2N-CH 40V 24A/127A 8DFN
