Výrobca Číslo produktu:
NVMFD5877NLWFT1G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NVMFD5877NLWFT1G-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN
Podrobný popis:
Mosfet Array 60V 6A 3.2W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Inventár:
12848016
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NVMFD5877NLWFT1G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
onsemi
Balenie
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
39mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
540pF @ 25V
Výkon - Max
3.2W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Balík zariadení dodávateľa
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Základné číslo produktu
NVMFD5877
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,500
Iné mená
NVMFD5877NLWFT1GOSDKR
NVMFD5877NLWFT1G-DG
NVMFD5877NLWFT1GOSCT
NVMFD5877NLWFT1GOSTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
NVMFD5C680NLWFT1G
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
NVMFD5C680NLWFT1G-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.63
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STL7DN6LF3
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2798
ČÍSLO DIELU
STL7DN6LF3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.65
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDMD86100
MOSFET 2N-CH 100V 10A 8PWR 5X6
FDC6561AN
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
FDMA6023PZT
MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
