NVMFD5C478NT1G
Výrobca Číslo produktu:

NVMFD5C478NT1G

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

NVMFD5C478NT1G-DG

Popis:

MOSFET 2N-CH 40V 9.8A/27A 8DFN
Podrobný popis:
Mosfet Array 40V 9.8A (Ta), 27A (Tc) 3.1W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Inventár:

12840597
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

NVMFD5C478NT1G Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9.8A (Ta), 27A (Tc)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
17mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 20µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
6.3nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
325pF @ 25V
Výkon - Max
3.1W (Ta), 23W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Balík zariadení dodávateľa
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Základné číslo produktu
NVMFD5

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
1,500
Iné mená
NVMFD5C478NT1GOSTR
NVMFD5C478NT1G-DG
NVMFD5C478NT1GOSCT
NVMFD5C478NT1GOSDKR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
onsemi

NTMFD5C674NLT1G

MOSFET 2N-CH 60V 11A/42A 8DFN

onsemi

NVMFD5853NT1G

MOSFET 2N-CH 40V 12A 8DFN

onsemi

MCH6605-TL-E

MOSFET 2P-CH 50V 0.14A 6MCPH

onsemi

NTUD3169CZT5G

MOSFET N/P-CH 20V 0.22A SOT963