NVMFS4C308NT1G
Výrobca Číslo produktu:

NVMFS4C308NT1G

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

NVMFS4C308NT1G-DG

Popis:

TRENCH 30V NCH
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 17.2A (Ta), 55A (Tc) 3W (Ta), 30.6W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Inventár:

12979415
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

NVMFS4C308NT1G Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
17.2A (Ta), 55A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
18.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1670 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3W (Ta), 30.6W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN, 5 Leads

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
1,500
Iné mená
488-NVMFS4C308NT1GDKR
488-NVMFS4C308NT1GTR
488-NVMFS4C308NT1GCT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
diodes

DMN3300UQ-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

onsemi

FDMT800150DC-22897

FET 150V 6.5 MOHMS PQFN88

micro-commercial-components

MCG18P02A-TP

MCG18P02A-TP

onsemi

NTH4L060N065SC1

SIC MOS TO247-4L 650V