Výrobca Číslo produktu:
NVMFS5113PLT1G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NVMFS5113PLT1G-DG
Popis:
MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
Podrobný popis:
P-Channel 60 V 10A (Ta), 64A (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventár:
8321 Ks Nové Originálne Na Sklade
12842644
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NVMFS5113PLT1G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10A (Ta), 64A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
14mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4400 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.8W (Ta), 150W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN, 5 Leads
Základné číslo produktu
NVMFS5113
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,500
Iné mená
NVMFS5113PLT1GOSDKR
NVMFS5113PLT1G-DG
NVMFS5113PLT1GOSTR
NVMFS5113PLT1GOSCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NTR4502PT1G
MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
NTTFS3A08PZTAG
MOSFET P-CH 20V 9A 8WDFN
NVMFS5C404NAFT1G
MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
