Výrobca Číslo produktu:
NVMFS6H818NT1G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NVMFS6H818NT1G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 20A (Ta), 123A (Tc) 3.8W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventár:
1500 Ks Nové Originálne Na Sklade
12840809
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NVMFS6H818NT1G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
80 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20A (Ta), 123A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 190µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3100 pF @ 40 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.8W (Ta), 136W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN, 5 Leads
Základné číslo produktu
NVMFS6
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,500
Iné mená
NVMFS6H818NT1G-DG
NVMFS6H818NT1GOSDKR
NVMFS6H818NT1GOSCT
NVMFS6H818NT1GOSTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NVTFS5C466NLTAG
MOSFET N-CH 40V 51A 8WDFN
NTD23N03R-001
MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A IPAK
NTD5413NT4G
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
