Výrobca Číslo produktu:
NVMFS6H864NT1G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NVMFS6H864NT1G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 80V 6.7A/21A 5DFN
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 6.7A (Ta), 21A (Tc) 3.5W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventár:
12856356
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NVMFS6H864NT1G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
80 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6.7A (Ta), 21A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
32mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 20µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
6.9 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
370 pF @ 40 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.5W (Ta), 33W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN, 5 Leads
Základné číslo produktu
NVMFS6
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,500
Iné mená
NVMFS6H864NT1GOSCT
NVMFS6H864NT1GOSTR
2832-NVMFS6H864NT1G-488
2832-NVMFS6H864NT1GTR
NVMFS6H864NT1GOSDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
RS6N120BHTB1
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1763
ČÍSLO DIELU
RS6N120BHTB1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.14
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NVMFS5C442NAFT3G
MOSFET N-CH 40V 29A/140A 5DFN
UPA2765T1A-E2-AY
MOSFET N-CH 30V 100A 8HVSON
NTMFS4937NT1G
MOSFET N-CH 30V 10.2A/70A 5DFN
