Výrobca Číslo produktu:
NVMFSW6D1N08HT1G
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NVMFSW6D1N08HT1G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 17A (Ta), 89A (Tc) 3.8W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventár:
12842159
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NVMFSW6D1N08HT1G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
80 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
17A (Ta), 89A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 120µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2085 pF @ 40 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.8W (Ta), 104W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN, 5 Leads
Základné číslo produktu
NVMFSW6
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,500
Iné mená
488-NVMFSW6D1N08HT1GCT
2832-NVMFSW6D1N08HT1GTR
488-NVMFSW6D1N08HT1GTR
488-NVMFSW6D1N08HT1GDKR
2832-NVMFSW6D1N08HT1G-488
NVMFSW6D1N08HT1G-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NVD5414NT4G
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
NVMFS6B25NLWFT1G
MOSFET N-CH 100V 8A/33A 5DFN
NTD14N03RT4G
MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
