Výrobca Číslo produktu:
NVMYS011N04CTWG
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NVMYS011N04CTWG-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 13A/35A 4LFPAK
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 13A (Ta), 35A (Tc) 3.8W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Inventár:
3000 Ks Nové Originálne Na Sklade
12857350
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NVMYS011N04CTWG Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
13A (Ta), 35A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
12mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 20µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
7.9 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
420 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.8W (Ta), 28W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
LFPAK4 (5x6)
Balenie / puzdro
SOT-1023, 4-LFPAK
Základné číslo produktu
NVMYS011
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
NVMYS011N04CTWGOSDKR
NVMYS011N04CTWGOS
NVMYS011N04CTWGOSCT
NVMYS011N04CTWGOSTR
2832-NVMYS011N04CTWG-488
NVMYS011N04CTWGOS-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NP82N04PUG(1)-E1B-AY
TRANSISTOR
NVMFS5C460NLAFT3G
MOSFET N-CH 40V 21A/78A 5DFN
NTD4804NT4G
MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A DPAK
