Výrobca Číslo produktu:
NVMYS1D2N04CLTWG
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NVMYS1D2N04CLTWG-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 44A/258A LFPAK4
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 44A (Ta), 258A (Tc) 3.9W (Ta), 134W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Inventár:
12843973
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NVMYS1D2N04CLTWG Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
44A (Ta), 258A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 180µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
109 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
6330 pF @ 20 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.9W (Ta), 134W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
LFPAK4 (5x6)
Balenie / puzdro
SOT-1023, 4-LFPAK
Základné číslo produktu
NVMYS1
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
488-NVMYS1D2N04CLTWGTR
488-NVMYS1D2N04CLTWGDKR
488-NVMYS1D2N04CLTWGCT
NVMYS1D2N04CLTWG-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
NTMYS1D2N04CLTWG
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
NTMYS1D2N04CLTWG-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.89
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SFT1341-C-TL-W
MOSFET P-CH 40V 10A DPAK/TP-FA
NTF3055L108T1G
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
BSC040N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
