Výrobca Číslo produktu:
NVMYS8D0N04CTWG
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
NVMYS8D0N04CTWG-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 16A/49A 4LFPAK
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 16A (Ta), 49A (Tc) 3.8W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Inventár:
12856652
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NVMYS8D0N04CTWG Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
16A (Ta), 49A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 30µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
625 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.8W (Ta), 38W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
LFPAK4 (5x6)
Balenie / puzdro
SOT-1023, 4-LFPAK
Základné číslo produktu
NVMYS8
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
NVMYS8D0N04CTWGOSTR
NVMYS8D0N04CTWGOSCT
NVMYS8D0N04CTWGOSDKR
NVMYS8D0N04CTWGOS
NVMYS8D0N04CTWGOS-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
NTMYS8D0N04CTWG
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
NTMYS8D0N04CTWG-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.18
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NTHS5445T1
MOSFET P-CH 8V 5.2A CHIPFET
NTD6600NT4
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
NVMFS5C450NWFAFT1G
MOSFET N-CH 40V 24A/102A 5DFN
