RFD16N05

Výrobca Číslo produktu:

RFD16N05

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

RFD16N05-DG

Popis:

MOSFET N-CH 50V 16A I-PAK

Podrobný popis:

N-Channel 50 V 16A (Tc) 72W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventár:

Online RFQ

12840400

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

RFD16N05 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

onsemi

Balenie

-

Seriál

-

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

50 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

16A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

47mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

4V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

80 nC @ 20 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

900 pF @ 25 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

72W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balík zariadení dodávateľa

I-PAK

Balenie / puzdro

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Základné číslo produktu

RFD16

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

75

Iné mená

RFD16N05-NDR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

onsemi

NTTFS5C453NLTAG

MOSFET N-CH 40V 23A/107A 8WDFN

infineon-technologies

BSC057N08NS3GATMA1

MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON

onsemi

NTR5198NLT1G

MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3

onsemi

NDD04N60ZT4G

MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAK