Výrobca Číslo produktu:
RFD16N06LESM9A
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
RFD16N06LESM9A-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 16A TO252AA
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 16A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventár:
4847 Ks Nové Originálne Na Sklade
12858472
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RFD16N06LESM9A Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
16A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
47mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (max.)
+10V, -8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1350 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
90W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
RFD16N06
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
RFD16N06LESM9A-DG
RFD16N06LESM9ACT
RFD16N06LESM9ADKR
RFD16N06LESM9ATR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NTP5860NG
MOSFET N-CH 60V 220A TO220AB
IRF3205ZSTRR
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
NTQS6463R2
MOSFET P-CH 20V 6.8A 8TSSOP
