RFD3055

Výrobca Číslo produktu:

RFD3055

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

RFD3055-DG

Popis:

MOSFET N-CH 60V 12A IPAK

Podrobný popis:

N-Channel 60 V 12A (Tc) 53W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventár:

Online RFQ

12856990

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

RFD3055 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

onsemi

Balenie

-

Seriál

-

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

60 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

12A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

150mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

4V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

23 nC @ 20 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

300 pF @ 25 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

53W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balík zariadení dodávateľa

I-PAK

Balenie / puzdro

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Základné číslo produktu

RFD30

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

75

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

SI4410DY

MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

onsemi

NTD5805NT4G

MOSFET N-CH 40V 51A DPAK

onsemi

NTMFS4C05NT1G-001

MOSFET N-CH 30V 11.9A/78A 5DFN

onsemi

NTB30N20

MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK