Výrobca Číslo produktu:
RFD3055LESM
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
RFD3055LESM-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 11A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventár:
12857386
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RFD3055LESM Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
107mOhm @ 8A, 5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
11.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
350 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
38W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
RFD30
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
75
Iné mená
RFD3055LESM-NDR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRLR024TRPBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5762
ČÍSLO DIELU
IRLR024TRPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.42
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STD16NF06LT4
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
6434
ČÍSLO DIELU
STD16NF06LT4-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.42
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
NVD3055-150T4G-VF01
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
NVD3055-150T4G-VF01-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.24
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NTMFS6H800NLT1G
MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN
NTD65N03RT4G
MOSFET N-CH 25V 9.5A/32A DPAK
NP80N04KHE-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 80A TO263
