Výrobca Číslo produktu:
RFG60P05E
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
RFG60P05E-DG
Popis:
MOSFET P-CH 50V 60A TO247-3
Podrobný popis:
P-Channel 50 V 60A (Tc) 215W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventár:
12857190
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
RFG60P05E Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
50 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
30mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
450 nC @ 20 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
7200 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
215W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247-3
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
RFG60
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXTH76P10T
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3540
ČÍSLO DIELU
IXTH76P10T-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.86
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NTH027N65S3F-F155
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
NVMFS5C450NWFT3G
MOSFET N-CH 40V 5DFN
NVATS5A108PLZT4G
MOSFET P-CHANNEL 40V 77A ATPAK
