Výrobca Číslo produktu:
SI4532DY
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
SI4532DY-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 30V 3.9A 8SOIC
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 3.9A, 3.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
25774 Ks Nové Originálne Na Sklade
12858843
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI4532DY Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
N and P-Channel
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.9A, 3.5A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
65mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
15nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
235pF @ 10V
Výkon - Max
900mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Základné číslo produktu
SI4532
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
SI4532DYDKR
SI4532DY-DG
SI4532DYTR
SI4532DYCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NTLUD3191PZTBG
MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN
NTLUD3A50PZTBG
MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 6UDFN
NTHD5905T1
MOSFET 2P-CH 8V 3A CHIPFET
