WPB4001-1E
Výrobca Číslo produktu:

WPB4001-1E

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

WPB4001-1E-DG

Popis:

MOSFET N-CH 500V 26A TO3P-3L
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 26A (Ta) 2.5W (Ta), 220W (Tc) Through Hole TO-3P-3L

Inventár:

12844361
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

WPB4001-1E Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
26A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
260mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
-
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2250 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 220W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-3P-3L
Balenie / puzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základné číslo produktu
WPB40

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
30

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
IXTQ460P2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
73
ČÍSLO DIELU
IXTQ460P2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.96
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

IRF840L

MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK

onsemi

NVF3055L108T1G

MOSFET N-CH 60V 3A SOT223

onsemi

NTTFS4C58NTAG

MOSFET N-CH 30V 48A 8WDFN

infineon-technologies

AUIRF2903Z

MOSFET N-CH 30V 160A TO220AB