Výrobca Číslo produktu:

WPB4001-1E

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

WPB4001-1E-DG

Popis:

MOSFET N-CH 500V 26A TO3P-3L

Podrobný popis:

N-Channel 500 V 26A (Ta) 2.5W (Ta), 220W (Tc) Through Hole TO-3P-3L

Inventár:

Online RFQ

12844361

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

WPB4001-1E Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

onsemi

Balenie

-

Seriál

-

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

500 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

26A (Ta)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

260mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

-

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

87 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±30V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

2250 pF @ 30 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

2.5W (Ta), 220W (Tc)

Prevádzková teplota

150°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balík zariadení dodávateľa

TO-3P-3L

Balenie / puzdro

TO-3P-3, SC-65-3

Základné číslo produktu

WPB40

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

30

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU

IXTQ460P2

VÝROBCA

IXYS

MNOŽSTVO DOSTUPNÉ

73

ČÍSLO DIELU

IXTQ460P2-DG

CENA ZA JEDNOTKU

2.96

Typ substitútu

Similar

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

vishay-siliconix

IRF840L

MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK

onsemi

NVF3055L108T1G

MOSFET N-CH 60V 3A SOT223

onsemi

NTTFS4C58NTAG

MOSFET N-CH 30V 48A 8WDFN

infineon-technologies

AUIRF2903Z

MOSFET N-CH 30V 160A TO220AB