Výrobca Číslo produktu:
DRA5114E0L
Product Overview
Výrobca:
Panasonic Electronic Components
Číslo dielu:
DRA5114E0L-DG
Popis:
TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI3
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount SMini3-F2-B
Inventár:
12862010
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DRA5114E0L Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Jednotlivé, predbiasované bipolárne tranzistory
Výrobca
Panasonic
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Discontinued at Digi-Key
Typ tranzistora
PNP - Pre-Biased
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100 mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50 V
Rezistor - základňa (R1)
10 kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
10 kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
35 @ 5mA, 10V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 500µA, 10mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
500nA
Výkon - Max
150 mW
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SC-85
Balík zariadení dodávateľa
SMini3-F2-B
Základné číslo produktu
DRA5114
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
DRA5114E0LTR
DRA5114E0LDKR
DRA5114E0LCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
MUN5111T1G
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
47821
ČÍSLO DIELU
MUN5111T1G-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.02
Typ substitútu
Direct
ČÍSLO DIELU
DTA114EU3T106
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4783
ČÍSLO DIELU
DTA114EU3T106-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.02
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
DTA114EU3HZGT106
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3429
ČÍSLO DIELU
DTA114EU3HZGT106-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.03
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DRA3115T0L
TRANS PREBIAS PNP 50V SSSMINI3
DRC5144G0L
TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI3
DRC5114W0L
TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI3
