Výrobca Číslo produktu:
SK8403180L
Product Overview
Výrobca:
Panasonic Electronic Components
Číslo dielu:
SK8403180L-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 12A 8HSSO
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 39A (Tc) 2W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount HSSO8-F1-B
Inventár:
12864744
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SK8403180L Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Panasonic
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Ta), 39A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7.1mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 1.45mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1680 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2W (Ta), 19W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
HSSO8-F1-B
Balenie / puzdro
8-PowerSMD, Flat Leads
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
P16265CT
P16265TR
P16265DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
RQ3E130BNTB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1954
ČÍSLO DIELU
RQ3E130BNTB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.15
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
CSD17578Q3A
VÝROBCA
Texas Instruments
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
24950
ČÍSLO DIELU
CSD17578Q3A-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.18
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
CSD17578Q3AT
VÝROBCA
Texas Instruments
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1956
ČÍSLO DIELU
CSD17578Q3AT-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.46
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
VN0106N3-G
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
FJ4B01100L1
MOSFET P-CH 12V 2.2A XLGA004
IRF840ASTRRPBF
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
