Výrobca Číslo produktu:
SK8603170L
Product Overview
Výrobca:
Panasonic Electronic Components
Číslo dielu:
SK8603170L-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 20A/59A 8HSO
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 20A (Ta), 59A (Tc) 2.8W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount HSO8-F4-B
Inventár:
2947 Ks Nové Originálne Na Sklade
12865114
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SK8603170L Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Panasonic
Balenie
Cut Tape (CT)
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20A (Ta), 59A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.1mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 2.56mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2940 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.8W (Ta), 24W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
HSO8-F4-B
Balenie / puzdro
8-PowerSMD, Flat Leads
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
P16269TR
P16269DKR
P16269CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
MTMF82310BBF
MOSFET N-CH 30V 18A SO8-F1-B
SK8603190L
MOSFET N-CH 30V 12A/19A 8HSO
FJ4B01110L1
MOSFET P-CH 12V 1.4A ALGA004
