PJA138L_R1_00001
Výrobca Číslo produktu:

PJA138L_R1_00001

Product Overview

Výrobca:

Panjit International Inc.

Číslo dielu:

PJA138L_R1_00001-DG

Popis:

SOT-23, MOSFET
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 250mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23

Inventár:

13713 Ks Nové Originálne Na Sklade
12966772
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

PJA138L_R1_00001 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
PANJIT
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
250mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.2Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
15 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
500mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-23
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základné číslo produktu
PJA138

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
3757-PJA138L_R1_00001TR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
stmicroelectronics

STWA30N65DM6AG

MOSFET N-CH 650V 28A TO247

toshiba-semiconductor-and-storage

TPH1R306P1,L1Q

MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP

vishay-siliconix

SIJ128LDP-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK

microsemi

JANTXV2N6768

MOSFET N-CH 400V 14A TO204AE