PJD7NA60_L2_00001
Výrobca Číslo produktu:

PJD7NA60_L2_00001

Product Overview

Výrobca:

Panjit International Inc.

Číslo dielu:

PJD7NA60_L2_00001-DG

Popis:

600V N-CHANNEL MOSFET
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 7A (Ta) 140W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventár:

12972052
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

PJD7NA60_L2_00001 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
PANJIT
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
15.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
723 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
140W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
PJD7N

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
3757-PJD7NA60_L2_00001DKR
3757-PJD7NA60_L2_00001CT
3757-PJD7NA60_L2_00001TR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
panjit

PJS6417_S1_00001

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJP4NA60_T0_00001

600V N-CHANNEL MOSFET

panjit

PJD100N04_L2_00001

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJQ5428_R2_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M