PJD7NA60_R2_00001

Výrobca Číslo produktu:

PJD7NA60_R2_00001

Product Overview

Výrobca:

Panjit International Inc.

Číslo dielu:

PJD7NA60_R2_00001-DG

Popis:

600V N-CHANNEL MOSFET

Podrobný popis:

N-Channel 600 V 7A (Ta) Surface Mount TO-252AA

Inventár:

Online RFQ

12971114

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

PJD7NA60_R2_00001 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

PANJIT

Balenie

Tape & Reel (TR)

Seriál

-

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

600 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

7A (Ta)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

1.2Ohm @ 3.5A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

4V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

15.2 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±30V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

723 pF @ 25 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

-

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

TO-252AA

Balenie / puzdro

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Základné číslo produktu

PJD7N

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

3,000

Iné mená

3757-PJD7NA60_R2_00001TR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

panjit

PJP2NA70_T0_00001

700V N-CHANNEL MOSFET

alpha-and-omega-semiconductor

AOT66613L

MOSFET N-CH 60V 44.5A/120A TO220

panjit

PJE8402_R1_00001

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

vishay-siliconix

SIHD3N50D-BE3

MOSFET N-CH 500V 3A DPAK