Výrobca Číslo produktu:

PJF4NA90_T0_00001

Product Overview

Výrobca:

Panjit International Inc.

Číslo dielu:

PJF4NA90_T0_00001-DG

Popis:

900V N-CHANNEL MOSFET

Podrobný popis:

N-Channel 900 V 4A (Ta) 44W (Tc) Through Hole ITO-220AB-F

Inventár:

Online RFQ

12971183

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

PJF4NA90_T0_00001 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

PANJIT

Balenie

-

Seriál

-

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

900 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

4A (Ta)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

3.4Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

4V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

17 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±30V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

710 pF @ 25 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

44W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balík zariadení dodávateľa

ITO-220AB-F

Balenie / puzdro

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Základné číslo produktu

PJF4NA90

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

50

Iné mená

3757-PJF4NA90_T0_00001

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

alpha-and-omega-semiconductor

AO3499

MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23-3

panjit

PJP2NA1K_T0_00001

1000V N-CHANNEL MOSFET

panjit

PJA3435_R1_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJQ5466A-AU_R2_000A1

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M