Výrobca Číslo produktu:
PJMF580N60E1_T0_00001
Product Overview
Výrobca:
Panjit International Inc.
Číslo dielu:
PJMF580N60E1_T0_00001-DG
Popis:
600V SUPER JUNCITON MOSFET
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 8A (Tc) 28W (Tc) Through Hole ITO-220AB-F
Inventár:
1966 Ks Nové Originálne Na Sklade
12997371
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
PJMF580N60E1_T0_00001 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
PANJIT
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
580mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
497 pF @ 400 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
28W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
ITO-220AB-F
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Základné číslo produktu
PJMF580
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
3757-PJMF580N60E1_T0_00001
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPF014N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
PJMD900N60EC_L2_00001
600V SUPER JUNCITON MOSFET
FBG20N18BC
GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B
