Výrobca Číslo produktu:
PJMF990N65EC_T0_00001
Product Overview
Výrobca:
Panjit International Inc.
Číslo dielu:
PJMF990N65EC_T0_00001-DG
Popis:
650V SUPER JUNCITON MOSFET
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 4.7A (Tc) 22.5W (Tc) Through Hole ITO-220AB-F
Inventár:
2000 Ks Nové Originálne Na Sklade
12997527
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
PJMF990N65EC_T0_00001 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
PANJIT
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4.7A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
990mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
9.7 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
306 pF @ 400 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
22.5W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
ITO-220AB-F
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Základné číslo produktu
PJMF990
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Iné mená
3757-PJMF990N65EC_T0_00001
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
PJL9420_R2_00001
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
FBG04N08AC
GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A
CMS3402-HF
MOSFET P-CH 30V SOT23
