PJMH190N60E1_T0_00601
Výrobca Číslo produktu:

PJMH190N60E1_T0_00601

Product Overview

Výrobca:

Panjit International Inc.

Číslo dielu:

PJMH190N60E1_T0_00601-DG

Popis:

600V/ 190MOHM / 20.6A/ EASY TO D
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 20.6A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247AD

Inventár:

1436 Ks Nové Originálne Na Sklade
12989056
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

PJMH190N60E1_T0_00601 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
PANJIT
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20.6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
180mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.8V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1410 pF @ 400 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
160W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247AD
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
PJMH190

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
30
Iné mená
3757-PJMH190N60E1_T0_00601

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
anbon-semiconductor

BSS138

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

infineon-technologies

IMT65R057M1HXUMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

infineon-technologies

IMT65R107M1HXUMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

diodes

DMN3030LFG-13

DMN3030LFG-13