Výrobca Číslo produktu:

PJMH190N60E1_T0_00601

Product Overview

Výrobca:

Panjit International Inc.

Číslo dielu:

PJMH190N60E1_T0_00601-DG

Popis:

600V/ 190MOHM / 20.6A/ EASY TO D

Podrobný popis:

N-Channel 600 V 20.6A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247AD

Inventár:

1436 Ks Nové Originálne Na Sklade

12989056

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

PJMH190N60E1_T0_00601 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

PANJIT

Balenie

Tube

Seriál

-

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

600 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

20.6A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

180mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

3.8V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

40 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±30V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

1410 pF @ 400 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

160W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balík zariadení dodávateľa

TO-247AD

Balenie / puzdro

TO-247-3

Základné číslo produktu

PJMH190

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

30

Iné mená

3757-PJMH190N60E1_T0_00601

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

anbon-semiconductor

BSS138

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

infineon-technologies

IMT65R057M1HXUMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

infineon-technologies

IMT65R107M1HXUMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

diodes

DMN3030LFG-13

DMN3030LFG-13