Výrobca Číslo produktu:
PJP60R290E_T0_00001
Product Overview
Výrobca:
Panjit International Inc.
Číslo dielu:
PJP60R290E_T0_00001-DG
Popis:
600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 1.7A (Ta), 15A (Tc) 184W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventár:
12971947
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
PJP60R290E_T0_00001 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
PANJIT
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.7A (Ta), 15A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
290mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1013 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
184W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
PJP60R
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
3757-PJP60R290E_T0_00001
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFL110TRPBF-BE3
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
PJD1NA60_L2_00001
600 V N-CHANNEL MOSFET
PJQ5410_R2_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
