PJP8NA65A_T0_00001
Výrobca Číslo produktu:

PJP8NA65A_T0_00001

Product Overview

Výrobca:

Panjit International Inc.

Číslo dielu:

PJP8NA65A_T0_00001-DG

Popis:

650V N-CHANNEL MOSFET
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 7.5A (Ta) 145W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventár:

Online RFQ
12972968
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

PJP8NA65A_T0_00001 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
PANJIT
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7.5A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1245 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
145W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
PJP8

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
PJU8NA65A / PJD8NA65A / PJP8NA65A / PJF8NA65A

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
50
Iné mená
3757-PJP8NA65A_T0_00001

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
onsemi

FDP045N10A-F032

MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3

nxp-semiconductors

PSMN2R0-60ES,127

NEXPERIA PSMN2R0-60ES - 120A, 60

panjit

PJS6404_S1_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJS6407_S1_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M