Výrobca Číslo produktu:
PJQ5850_R2_00001
Product Overview
Výrobca:
Panjit International Inc.
Číslo dielu:
PJQ5850_R2_00001-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 40V 5A/14A 8DFN
Podrobný popis:
Mosfet Array 40V 5A (Ta), 14A (Tc) 1.7W (Ta), 12W (Tc) Surface Mount DFN5060B-8
Inventár:
12972414
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
PJQ5850_R2_00001 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
PANJIT
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Not For New Designs
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5A (Ta), 14A (Tc)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
33mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
4.4nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
425pF @ 25V
Výkon - Max
1.7W (Ta), 12W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Balík zariadení dodávateľa
DFN5060B-8
Základné číslo produktu
PJQ5850
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
3757-PJQ5850_R2_00001DKR
3757-PJQ5850_R2_00001TR
3757-PJQ5850_R2_00001CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
PJQ5844_R2_00001
MOSFET 2N-CH 40V 10A/45A 8DFN
PJT7801_R1_00001
MOSFET 2P-CH 20V 0.7A SOT363
2N7002KDW_R1_00001
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
