Výrobca Číslo produktu:
PJQ5866A_R2_00001
Product Overview
Výrobca:
Panjit International Inc.
Číslo dielu:
PJQ5866A_R2_00001-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 60V 7A/40A 8DFN
Podrobný popis:
Mosfet Array 60V 7A (Ta), 40A (Tc) 1.7W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount DFN5060B-8
Inventár:
2760 Ks Nové Originálne Na Sklade
12970745
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
PJQ5866A_R2_00001 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
PANJIT
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7A (Ta), 40A (Tc)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
17mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
13.5nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1574pF @ 25V
Výkon - Max
1.7W (Ta), 56W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Balík zariadení dodávateľa
DFN5060B-8
Základné číslo produktu
PJQ5866
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
3757-PJQ5866A_R2_00001DKR
3757-PJQ5866A_R2_00001TR
3757-PJQ5866A_R2_00001CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
PJQ5606_R2_00001
MOSFET N/P-CH 30V 7A 8DFN
PJS6600_S1_00001
MOSFET N/P-CH 30V 1.6A SOT23-6
PJX8802_R1_00001
MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT563