PJS6403_S1_00001

Výrobca Číslo produktu:

PJS6403_S1_00001

Product Overview

Výrobca:

Panjit International Inc.

Číslo dielu:

PJS6403_S1_00001-DG

Popis:

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Podrobný popis:

P-Channel 30 V 6.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-23-6

Inventár:

420 Ks Nové Originálne Na Sklade

12997476

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

PJS6403_S1_00001 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

PANJIT

Balenie

Tape & Reel (TR)

Seriál

-

Stav produktu

Active

Typ FET

P-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

30 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

6.4A (Ta)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

4.5V, 10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

32mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

2.5V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

7.8 nC @ 4.5 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

870 pF @ 15 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

2W (Ta)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

SOT-23-6

Balenie / puzdro

SOT-23-6

Základné číslo produktu

PJS6403

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

3,000

Iné mená

3757-PJS6403_S1_00001TR

3757-PJS6403_S1_00001DKR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

goford-semiconductor

GT52N10D5

MOSFET N-CH 100V 71A DFN5*6-8L

nexperia

PXP012-30QLJ

P-CHANNEL TRENCH MOSFET

epc-space

FBG10N30BC

GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B

FDC638P-P

MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6