Výrobca Číslo produktu:
PJS6413_S1_00001
Product Overview
Výrobca:
Panjit International Inc.
Číslo dielu:
PJS6413_S1_00001-DG
Popis:
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 4.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-23-6
Inventár:
4565 Ks Nové Originálne Na Sklade
12973996
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
PJS6413_S1_00001 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
PANJIT
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4.4A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
82mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±12V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
522 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-23-6
Balenie / puzdro
SOT-23-6
Základné číslo produktu
PJS6413
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
3757-PJS6413_S1_00001CT
3757-PJS6413_S1_00001TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
MCU18P10-TP
MOSFET P-CH DPAK
GPI65008DF56
GANFET N-CH 650V 8A DFN5X6
PJQ5413_R2_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
