Výrobca Číslo produktu:
PJS6603_S2_00001
Product Overview
Výrobca:
Panjit International Inc.
Číslo dielu:
PJS6603_S2_00001-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 30V 4.4A SOT23-6
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 4.4A (Ta), 2.9A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23-6
Inventár:
36918 Ks Nové Originálne Na Sklade
12973296
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
PJS6603_S2_00001 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
PANJIT
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
N and P-Channel Complementary
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4.4A (Ta), 2.9A (Ta)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
48mOhm @ 4.4A, 10V, 110mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
5.8nC @ 10V, 9.8nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
235pF @ 15V, 396pF @ 15V
Výkon - Max
1.25W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-23-6
Balík zariadení dodávateľa
SOT-23-6
Základné číslo produktu
PJS6603
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
10,000
Iné mená
3757-PJS6603_S2_00001TR
3757-PJS6603_S2_00001CT
3757-PJS6603_S2_00001DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NXH010P120MNF1PNG
SIC 2N-CH 1200V 114A
PJL9824_R2_00001
MOSFET 2N-CH 40V 13A 8SOP
PJT7812_R1_00001
MOSFET 2N-CH 30V 0.5A SOT363
