Výrobca Číslo produktu:
PJT7601_R1_00001
Product Overview
Výrobca:
Panjit International Inc.
Číslo dielu:
PJT7601_R1_00001-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 20V 0.5A SOT363
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 500mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-363
Inventár:
8511 Ks Nové Originálne Na Sklade
12970261
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
PJT7601_R1_00001 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
PANJIT
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
N and P-Channel Complementary
Funkcia FET
Logic Level Gate, 1.2V Drive
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
500mA (Ta)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
400mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
1.4nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
67pF @ 10V, 38pF @ 10V
Výkon - Max
350mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balík zariadení dodávateľa
SOT-363
Základné číslo produktu
PJT7601
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
3757-PJT7601_R1_00001DKR
3757-PJT7601_R1_00001CT
3757-PJT7601_R1_00001TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
PJL9606_R2_00001
MOSFET N/P-CH 30V 7A/6A 8SOP
PJX138L_R1_00001
MOSFET 2N-CH 60V 0.16A SOT563
PJQ2800_R1_00001
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 6DFN
