PJW1NA60_R2_00001
Výrobca Číslo produktu:

PJW1NA60_R2_00001

Product Overview

Výrobca:

Panjit International Inc.

Číslo dielu:

PJW1NA60_R2_00001-DG

Popis:

600V N-CHANNEL MOSFET
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 300mA (Ta) 3.3W (Tc) Surface Mount SOT-223

Inventár:

12972384
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

PJW1NA60_R2_00001 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
PANJIT
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
300mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
14Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
3.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
95 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.3W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-223
Balenie / puzdro
TO-261-4, TO-261AA
Základné číslo produktu
PJW1NA60

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,500
Iné mená
3757-PJW1NA60_R2_00001TR
3757-PJW1NA60_R2_00001DKR
3757-PJW1NA60_R2_00001CT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
STN1NK60Z
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2437
ČÍSLO DIELU
STN1NK60Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.26
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
onsemi

NVD4806NT4G-VF01

MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK

onsemi

NTPF600N80S3Z

SF3 800V 600MOHM TO-220F

onsemi

SC9611MX

MOSFET N-CH SMD

panjit

PJQ5494_R2_00001

150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE