PJW5P03_R2_00001
Výrobca Číslo produktu:

PJW5P03_R2_00001

Product Overview

Výrobca:

Panjit International Inc.

Číslo dielu:

PJW5P03_R2_00001-DG

Popis:

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 4.6A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SOT-223

Inventár:

12974158
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

PJW5P03_R2_00001 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
PANJIT
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4.6A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
50mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
4.8 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
516 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.6W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-223
Balenie / puzdro
TO-261-4, TO-261AA
Základné číslo produktu
PJW5P03

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,500
Iné mená
3757-PJW5P03_R2_00001TR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
onsemi

NTBL070N65S3

SF3 650V EASY 70MOHM KELVIN SENS

panjit

PJC138L_R1_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJD4NA90_L2_00001

900V N-CHANNEL MOSFET

vishay-siliconix

SIR584DP-T1-RE3

N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE