Výrobca Číslo produktu:
PJX8872B_R1_00001
Product Overview
Výrobca:
Panjit International Inc.
Číslo dielu:
PJX8872B_R1_00001-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT563
Podrobný popis:
Mosfet Array 60V 200mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-563
Inventár:
3950 Ks Nové Originálne Na Sklade
12973155
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
PJX8872B_R1_00001 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
PANJIT
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
200mA (Ta)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3Ohm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
0.82nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
34pF @ 25V
Výkon - Max
300mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-563, SOT-666
Balík zariadení dodávateľa
SOT-563
Základné číslo produktu
PJX8872
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Iné mená
3757-PJX8872B_R1_00001CT
3757-PJX8872B_R1_00001DKR
3757-PJX8872B_R1_00001TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
CAB006A12GM3
SIC 2N-CH 1200V 200A
SP8M51HZGTB
MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8SOP
PJL9809_R2_00001
MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOP
