Výrobca Číslo produktu:
2SK1317-E
Product Overview
Výrobca:
Renesas Electronics Corporation
Číslo dielu:
2SK1317-E-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P
Podrobný popis:
N-Channel 1500 V 2.5A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventár:
5608 Ks Nové Originálne Na Sklade
12858018
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
2SK1317-E Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Renesas Electronics Corporation
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.5A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
15V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
12Ohm @ 2A, 15V
Vgs(th) (Max.) @ Id
-
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
990 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
100W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-3P
Balenie / puzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základné číslo produktu
2SK1317
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
-1161-2SK1317-E
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NDB6060L
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
NVMFS6H800NT1G
MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN
NVB5860NT4G
MOSFET N-CH 60V 220A D2PAK-3
