Výrobca Číslo produktu:
NP110N04PUK-E1-AY
Product Overview
Výrobca:
Renesas Electronics Corporation
Číslo dielu:
NP110N04PUK-E1-AY-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 110A (Tc) 1.8W (Ta), 348W (Tc) Surface Mount TO-263-3
Inventár:
1554 Ks Nové Originálne Na Sklade
12860105
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NP110N04PUK-E1-AY Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Renesas Electronics Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
110A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.4mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
297 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
15750 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.8W (Ta), 348W (Tc)
Prevádzková teplota
175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263-3
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
NP110N04
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Iné mená
-1161-NP110N04PUK-E1-AYTR-DG
-1161-NP110N04PUK-E1-AY
-1161-NP110N04PUK-E1-AYTR
-1161-NP110N04PUK-E1-AY-DG
NP110N04PUK-E1-AY-DG
559-NP110N04PUK-E1-AYCT
559-NP110N04PUK-E1-AYTR
559-NP110N04PUK-E1-AYDKR
-1161-NP110N04PUK-E1-AYCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NTP082N65S3F
MOSFET N-CH 650V 40A TO220-3
NP100P04PLG-E1-AY
MOSFET P-CH 40V 100A TO263
NP60N055VUK-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3
