Výrobca Číslo produktu:
NP50P04SDG-E1-AY
Product Overview
Výrobca:
Renesas Electronics Corporation
Číslo dielu:
NP50P04SDG-E1-AY-DG
Popis:
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Podrobný popis:
P-Channel 40 V 50A (Tc) 1.2W (Ta), 84W (Tc) Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)
Inventár:
3924 Ks Nové Originálne Na Sklade
12861590
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NP50P04SDG-E1-AY Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Renesas Electronics Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
9.6mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5000 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.2W (Ta), 84W (Tc)
Prevádzková teplota
175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252 (MP-3ZK)
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
NP50P04
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
NP50P04SDG-E1-AYDKR
NP50P04SDG-E1-AYDKR-DG
NP50P04SDG-E1-AYCT-DG
559-NP50P04SDG-E1-AYCT
NP50P04SDG-E1-AY-DG
NP50P04SDG-E1-AYTR
NP50P04SDGE1AY
559-NP50P04SDG-E1-AYTR
NP50P04SDG-E1-AYTR-DG
559-NP50P04SDG-E1-AYDKR
NP50P04SDG-E1-AYCT
-1161-NP50P04SDG-E1-AYCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
HAF1002-90STL-E
MOSFET P-CH 60V 15A 4LDPAK
MTM231230L
MOSFET P-CH 20V 3A SMINI3-G1
N0300P-T1B-AT
TRANSISTOR
