Výrobca Číslo produktu:
NP80N055MHE-S18-AY
Product Overview
Výrobca:
Renesas
Číslo dielu:
NP80N055MHE-S18-AY-DG
Popis:
NP80N055MHE-S18-AY - SWITCHINGN-
Podrobný popis:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 1.8W (Ta), 120W (Tc) Through Hole MP-25K
Inventár:
2400 Ks Nové Originálne Na Sklade
12976842
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
NP80N055MHE-S18-AY Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Renesas Electronics Corporation
Balenie
Bulk
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
55 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
11mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3600 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.8W (Ta), 120W (Tc)
Prevádzková teplota
175°C
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
MP-25K
Balenie / puzdro
TO-220-3
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
135
Iné mená
2156-NP80N055MHE-S18-AY
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STP80NF55-08
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
48
ČÍSLO DIELU
STP80NF55-08-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.25
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDBL0150N60
FDBL0150N60 - N-CHANNEL POWERTRE
BUK7225-55A,118
N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEV
UPA2706GR-E1-AT
UPA2706GR-E1-AT - MOS FIELD EFFE