Výrobca Číslo produktu:
UPA2815T1S-E2-AT
Product Overview
Výrobca:
Renesas Electronics Corporation
Číslo dielu:
UPA2815T1S-E2-AT-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 21A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3)
Inventár:
10000 Ks Nové Originálne Na Sklade
12858118
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
UPA2815T1S-E2-AT Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Renesas Electronics Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
21A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
11mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
-
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1760 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.5W (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-HWSON (3.3x3.3)
Balenie / puzdro
8-PowerWDFN
Základné číslo produktu
UPA2815
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
-1161-UPA2815T1S-E2-ATCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NVTFS5C478NLWFTAG
MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN
NTD70N03R
MOSFET N-CH 25V 10A/32A DPAK
NTMFS6B05NT3G
MOSFET N-CH 100V 16A/104A 5DFN
