UPA2825T1S-E2-AT
Výrobca Číslo produktu:

UPA2825T1S-E2-AT

Product Overview

Výrobca:

Renesas Electronics Corporation

Číslo dielu:

UPA2825T1S-E2-AT-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 8HVSON
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 24A (Tc) 1.5W (Ta), 16.5W (Tc) Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3)

Inventár:

12857008
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

UPA2825T1S-E2-AT Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Renesas Electronics Corporation
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
24A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.6mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
-
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2600 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.5W (Ta), 16.5W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-HWSON (3.3x3.3)
Balenie / puzdro
8-PowerWDFN

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
5,000

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
onsemi

NVTFS4C06NWFTAG

MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN

onsemi

NTR4503NT1

MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3

panasonic

FJ6K01010L

MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6