Výrobca Číslo produktu:
BSM080D12P2C008
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
BSM080D12P2C008-DG
Popis:
SIC 2N-CH 1200V 80A MODULE
Podrobný popis:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 80A (Tc) 600W Chassis Mount Module
Inventár:
15 Ks Nové Originálne Na Sklade
13521952
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
BSM080D12P2C008 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tray
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
Silicon Carbide (SiC)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1200V (1.2kV)
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 13.2mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
-
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
800pF @ 10V
Výkon - Max
600W
Prevádzková teplota
175°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balenie / puzdro
Module
Balík zariadení dodávateľa
Module
Základné číslo produktu
BSM080
Technické údaje a dokumenty
Dokumenty o spoľahlivosti
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
12
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
EM6K31T2R
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
EM6K6T2R
MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
