Výrobca Číslo produktu:
DTC114EMFHAT2L
Product Overview
Výrobca:
Rohm Semiconductor
Číslo dielu:
DTC114EMFHAT2L-DG
Popis:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount VMT3
Inventár:
12939492
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
DTC114EMFHAT2L Technické špecifikácie
Kategória
Bipolárny (BJT), Jednotlivé, predbiasované bipolárne tranzistory
Výrobca
ROHM Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Not For New Designs
Typ tranzistora
NPN - Pre-Biased
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
100 mA
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
50 V
Rezistor - základňa (R1)
10 kOhms
Rezistor - základňa emitora (R2)
10 kOhms
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Prúd - hranie kolektora (max.)
500nA
Frekvencia - Prechod
250 MHz
Výkon - Max
150 mW
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-723
Balík zariadení dodávateľa
VMT3
Základné číslo produktu
DTC114
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
8,000
Iné mená
846-DTC114EMFHAT2LCT
846-DTC114EMFHAT2LTR
846-DTC114EMFHAT2LDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
RN1102MFV,L3F
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
13398
ČÍSLO DIELU
RN1102MFV,L3F-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.02
Typ substitútu
Direct
ČÍSLO DIELU
DTC114EM3T5G
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
20591
ČÍSLO DIELU
DTC114EM3T5G-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.04
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DTB114EKFRAT146
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SMT3
DTA123YEFRATL
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
DTC113ZEFRATL
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3